LASER PROJECT Laser IroIro #005-11

　LAST UPDATE 2003/01/07

　●第５話｢ＬＤニュース・スクラップ｣
　　　　－11｢三菱電機が１６倍速ＤＶＤ±Ｒ用で世界初の２００ｍＷレーザーを開発｣

　○16倍速DVD±R用200mWレーザを世界に先駆けて開発
　　2002.12.24 三菱電機株式会社ニュースリリース

　　現在、急速に需要拡大中のDVD±Rの記録用光源には、波長650ｎｍ帯赤色高出力半導体レーザが必要ですが、
　　記録速度の高速化のためには、短時間でディスク上に情報を書き込む必要があるため、より高い光出力が
　　求められています。レーザに必要とされる光出力は記録速度の平方根に比例すると言われており、例えば、
　　過去の１倍速記録では50ｍＷ、２倍速では70ｍＷ、現在普及しつつある４倍速DVD±Rの記録には100ｍＷの
　　レーザ出力が必要となっています。
　　2003年には８倍速が普及するため140ｍＷのレーザが必要になり、2004年には記録速度が最高速の16倍速に
　　達するため200ｍＷレーザが不可欠となります。
　　今回このようなロードマップに合わせ、当社独自の端面窓構造やリッジ構造に加えてキンク特性の改善を
　　行うことにより、世界に先駆けて200ｍＷの出力をもつレーザを開発しました。

　○三菱電機が16倍速ＤＶＤ±Ｒ用で世界初の200mWレーザー
　　2002.12.25 日本工業新聞

　　三菱電機は24日、次世代記録型ＤＶＤ(デジタル多用途ディスク)装置の16倍速ＤＶＤ±Ｒ用の
　　200ミリワットレーザーを開発したと発表した。来年6月からサンプル出荷する。
　　16倍速ＤＶＤ±Ｒ用の200ミリワットレーザーの開発は世界で初めて。

　　これに伴って光ディスク用高出力レーザーの生産能力を増強する。生産能力は、現在の
　　月産100万個から来年に同150万個、2004年には同200万個に引き上げる。
　　生産能力の増強は、需要が低迷している通信用レーザーの設備を転用して実施する。
　　現在の生産量の約7割が100ミリワット(4倍速対応)レーザーだが、2004年には生産量の約7割が
　　今回開発した200ミリワットレーザーに転換するとみている。
　　ＤＶＤ±Ｒの記録用光源は、波長650ナノ(1ナノは10億分の1)メートル帯赤色高出力半導体レーザー
　　が使用されている。記録速度の向上に伴って高出力が必要になる。
　　三菱電機は、9月に8倍速用の140ミリワットレーザーを開発し、量産準備中。記録速度は2004年に
　　最高速とされる16倍速になると予想されるため、出力200ミリワットのレーザーを商品化した。

　　出力が高くなるとレーザー発振面が発熱して半導体レーザーを構成する結晶を溶解してしまう
　　「端面破壊現象」と一定以上の高出力で光が曲がってしまう「キンク現象」が高出力化の課題に
　　なっていた。端面をレーザー光を吸収しにくい別の物質にする端面窓構造の採用とレーザーの光の
　　波形を長手方向に2割程度長くするなどで解決した。

　○記録型DVD装置は2003年に8倍速～16倍速へ，三菱電機が半導体レーザを開発
　　2002.12.24 NE ONLINEより抜粋

　　三菱電機は，16倍速記録が可能な記録型DVD装置に向けた赤色半導体レーザを開発した。
　　パルス発振時の光出力は200mWに達する。同出力のDVD用半導体レーザを開発したのは同社が
　　初めてという。2003年6月からサンプル出荷を始める。サンプル価格は現在のところ未定である。
　　16倍速機を実現できれば，ディスク片面単層4.7Gバイトのデータを4分程度でディスクに書き込める。

　　三菱電機は今回，16倍速対応を実現するために主に半導体レーザの放熱性を高める工夫を施した。
　　具体的には共振器長を従来品よりも2割～3割長くした。これにより200mW，＋75℃動作時でも，
　　光出力と動作電流の線形性が崩れるキンク現象の発現を抑えることができたという。
　　現在のところ200mW出力で＋80℃まで動作温度を高められること，＋75℃動作なら230mW～250mWまで
　　光出力を高められることを確認している。ちなみに＋25℃動作，連続発振50mW出力時の発振波長の
　　バラつきは658nm±4nm。レーザ・ビームのアスペクト比は2を少し超える程度という。

　○三菱電機、高周波素子など統括する「半導体事業本部」設立へ
　　2002.12.25 日本工業新聞

　　三菱電機は、日立製作所との事業統合会社「ルネサステクノロジ」に移管しない半導体事業分野を
　　統括する「半導体事業本部」を来年4月1日付で設立する。パワー半導体など同事業本部が管轄する
　　半導体事業分野の売上高は2002年度で約1500億円の見通し。半導体事業本部と社内の関連技術部門
　　との連携を深めるなどで、社内に残る半導体事業も強化して、2007年度をめどに売上高を約2000億円
　　に引き上げる。

　　三菱電機の半導体事業で日立製作所と事業統合しない主な分野は、パワー半導体、高周波素子、
　　液晶ディスプレーの3分野。2002年度の同分野の売上高の内訳は、パワー半導体が約500億円、
　　高周波素子が約400億円、液晶ディスプレーが約500億円、コネクターなどその他が約100億円の
　　見通しだ。

　　世界シェアが高い電車用やエアコン用のパワー半導体は、社内の関連製品担当部署と連携して
　　技術開発に取り組む。高周波素子分野では、光通信関連分野の低迷が続いているがＤＶＤ
　　(デジタル多用途ディスク)向けのレーザーダイオードなどの事業を強化する。
　　液晶ディスプレーは、低温ポリシリコンなどの技術開発を強化して高精細度ディスプレー向けの
　　製品分野を拡大していく。こうした施策を通じて日立製作所と統合しない分野の半導体事業も
　　年率5％前後の成長を目指す。